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L'invention concerne un procédé d'oxydation localisée enterrée d'un substrat de silicium. <BR/> Le procédé consiste à effectuer a) sur la surface du substrat (S), par une première nitruration, un scellement par croissance d'une couche de nitrure de silicium formant au moins une couche superficielle, puis à effectuer b) la gravure (G1) d'une tranchée (T) destinée à recevoir l'oxydation localisée enterrée. <BR/> Une deuxième nitruration est effectuée c) sur la surface libre de la tranchée (T) afin d'obtenir un scellement sc des parois de la tranchée (T). <BR/> Une gravure (G2) est effectuée en d) sur la paroi de fond de la tranchée (T) par gravure, au moins partielle, de la couche de nitrure de silicium obtenue par deuxième nitruration afin de découvrir le matériau du substrat (S). <BR/> Une oxydation localisée e) est effectuée pour réaliser l'oxydation enterrée (OE) du substrat dans la tranchée. <BR/> Application à la réalisation de circuits intégrés.
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