| 摘要 |
u poluprovodnickim uredjajima, koja ima glavnu povrsinu 24 koja je paralelna sa jednom od kristalografskih ravni (100), pri cemu je ova plocica poravnata u odnosu na referentnu poziciju koriscenjem glavnog orijentacionog odsecka 22 na svom obimu, pa zatim podvrgnuta obradi kojom se obrazuju pravolinijski elementi 16 po njenoj povrsini, gde elementi 16 koji sadrze silicijum nitrid, polikristalni silicijum ili silicijum dioksid, imaju ivice 18 koje stvaraju izvorista stresova u ovoj plocici, koje su orijentisane u smerovima koji su multipli od 90 u odnosu na odsecak 22, naznac en time, sto joj je glavna povrsina (24) paralelna sa jednom od kristalografskih ravni (100) i sto je glavni orijentacioni odsecak (22) paralelan sa jednim od kristalografskih smerova 001 koji leze na glavnoj povrsini (24) plocice. Poluprovodnicka plocica prema zahtevu 1, naznacen time, sto je glavna povrsina (24) u sustini kruznog oblika sa odseckom (22).
|
