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发明名称 PROCESS FOR MULTI-LAYER PHOTORESIST ETCHING WITH MINIMAL FEATURE UNDERCUT AND UNCHANGING PHOTORESIST LOAD DURING ETCH
摘要
申请公布号 US5126231(A) 申请公布日期 1992.06.30
申请号 US19900485331 申请日期 1990.02.26
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 LEVY, KARL B.
分类号 G03F7/11;G03F7/09;G03F7/095;G03F7/26;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/302;H01L21/3065 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
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