| 发明名称 | 半导体部件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种半导体部件的制造方法，其特征在于：在多孔单晶半导体区域上形成配置了非多孔单晶半导体区域的部件；在上述的非多孔单晶半导体表面贴以由绝缘物质构成的部件的表面，进行表面贴合之后，用腐蚀法把上述的多孔单晶半导体区域除掉。 | ||
| 申请公布号 | CN1061871A | 申请公布日期 | 1992.06.10 |
| 申请号 | CN91108569.6 | 申请日期 | 1991.08.03 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 米原降夫 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/20;C30B25/00;C30B19/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 范本国 |
| 主权项 | 1、一种半导体部件的制造方法，其特征在于： 在多孔单晶半导体区域上形成配置了非多孔单晶半导体区域的部件； 在上述的非多孔单晶半导体表面贴以由绝缘物质构成的部件的表面，进行表面贴合之后； 用腐蚀法把上述的多孔单晶半导体区域除掉。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||