Process for the recrystallization of a pre-amorphized superficial zone of a semi-conductor.

摘要

Es wird ein Verfahren zur thermischen Ausheilung von amorphen Oberflächenschichten auf einem einkristallinen Halbleitergrundkörper beschrieben. Die amorphe Oberflächenschicht entsteht durch Implantation von Germanium- oder Silizium-Ionen in einem einkristallinen Siliziumgrundkörper. Anschließend wird die amorphe Schicht durch Implantation von Störstellen-Ionen dotiert und einem Dreistufen-Ausheilprozeß unterworfen. Während der ersten Stufe dieses Prozesses wird bei einer Temperatur von 400 bis 460 °C der Übergangsbereich zwischen der amorphen Schicht und dem einkristallinen Grundkörper geglättet, in der zweiten Stufe rekristallisiert die amorphe Schicht bei einer Temperatur von 500 bis 600 °C und während der dritten Stufe werden die Dotierungsstoffe in einem RTA-Prozeß aktiviert. <IMAGE>