| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING QUANTUM WIRE SEMICONDUCTOR LASER VIA PHOTO INDUCED EVAPORATION ENHANCEMENT DURING IN SITU EPITAXIAL GROWTH |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5114877(A) |
申请公布日期 |
1992.05.19 |
| 申请号 |
US19910638587 |
申请日期 |
1991.01.08 |
| 申请人 |
XEROX CORPORATION |
发明人 |
PAOLI, THOMAS L.;EPLER, JOHN E. |
| 分类号 |
H01L21/203;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/34;H01S5/40 |
主分类号 |
H01L21/203 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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