| 发明名称 |
Process for manufacturing a doped polycide layer on a semiconductor substrate. |
| 摘要 |
Es wird eine Polyzidschicht (14) durch Erzeugung einer Metallsilizidschicht (13)a) auf einer Polysiliziumschicht (12a) gebildet. Die Polyzidschicht (14) wird nach ihrer Bildung mit Hilfe einer Implantation auf einen Endwert der Dotierstoffkonzentration dotiert. Es liegt im Rahmen der Erfindung, eine Vordotierung der Polysiliziumschicht (12a) vorzunehmen. Das Verfahren ist insbesondere zur Herstellung von p<+>-dotierten Polyzidgates in einem Salicide-Prozeß geeignet. <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP0482232(A1) |
申请公布日期 |
1992.04.29 |
| 申请号 |
EP19900120324 |
申请日期 |
1990.10.23 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SCHWALKE, UDO, DR.;BURMESTER, RALF |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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