APPARATUS AND METHOD FOR A DUAL THICKNESS DIELECTRIC FLOATING GATE MEMORY CELL.

摘要

Le dispositif à circuit intégré à semi-conducteur décrit comprend des première et seconde couches conductrices (110, 120), dont la première couche se caractérise par une forme qui confère à sa surface un effet tunnel amélioré pour la sortie de l'émission du champ. Une couche diélectrique à double épaisseur (140) sépare les deux couches conductrices. Lors de l'application d'une différence de potentiel entre les couches conductrices, l'effet tunnel de l'émission de champ se produit d'abord à travers la partie la plus mince (101) de la couche diélectrique. Un procédé de fabrication d'un tel dispositif à circuit intégré à semi-conducteur consiste: (a) à former une première couche conductrice (410); (b) à former des régions à émission de champ améliorée sur la première couche conductrice; (c) à former une seconde couche isolante (450) sur la première couche conductrice; (d) à former une couche de masquage (460) (e) en la situant transversalement au-dessous de la seconde couche isolante; (f) à attaquer la première couche conductrice en suivant la configuration de masquage; (g) à former une troisième couche isolante (470) sur toutes les surfaces découvertes de la première couche conductrice, de façon à produire une couche isolante présentant des première et seconde régions d'épaisseurs différentes; et (h) à former une seconde couche conductrice (411) sur la couche isolante ainsi produite.