| 发明名称 |
Permeable Base Transistor having a selectively grown emitter. |
| 摘要 |
Permeable Base Transistor, bei dem in eine Öffnung der Basisschicht (6) auf eine darunter befindliche Kollektorschicht (3) eine Emitterschicht (4, 5) oder Emitterschichtfolge aus einem Halbleitermaterial, das eine größere Energiebandlücke als das Halbleitermaterial der Basisschicht (6) hat, aufgewachsen ist. <IMAGE>
|
| 申请公布号 |
EP0478934(A2) |
申请公布日期 |
1992.04.08 |
| 申请号 |
EP19910113686 |
申请日期 |
1991.08.14 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
TEWS, HELMUT, DR. DIPL.-PHYS.;ZWICKNAGL, PETER, DR. DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L29/205;H01L21/331;H01L21/335;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/772 |
主分类号 |
H01L29/205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
