首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
MANUFACTURE OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号
JPH04103135(A)
申请公布日期
1992.04.06
申请号
JP19900221836
申请日期
1990.08.23
申请人
SEIKO INSTR INC
发明人
KATO YUICHI
分类号
H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
Wälzlagerkäfig
Isolierter Draht
Prüflast
Anfasvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines kerbfreien Wafers
Harrer-Turbine, Unterdruck-Siede-Wasser-Kraftwerk mit Siedestromturbine zur Stromerzeugung und als mechanischer Antrieb. Wasserkraftwerk unter Nutzung von Unterdruck und reduzierter Siedetemperatur
Kolonne und Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen zu Monosilan und Tetrachlorsilan sowie Anlage zur Gewinnung von Monosilan
Modelbasiertes Schutzsystem für elektrische Systeme
Limp Home Mode für ein Fahrzeug mit Elektroantrieb
Systeme und Verfahren zum Verbinden von Komponenten durch Wärmekontaktnieten
Antriebsvorrichtung für ein Hybridfahrzeug
Feststoffbatterieelektrode
Flüssigdichtmittel für Heizungsanlagen
Dichtungseinheit
Dynamische Speicherung von Medizingerätepositionen
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen
Verfahren zum Abschätzen einer Temperatur eines Transistors
回転トルク伝達装置及びそれを用いたガスタービン発電機
ヒドロキサム酸誘導体又はその塩を添加剤として含む光電変換装置及びその製造方法
電解加工装置
電磁リレー