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Bei einer Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen mit mindestens einem Thyristor in einem Halbleitersubstrat (9) soll eine hohe Belastbarkeit gegen elektrostatische Entladungen beider Polaritäten erreicht werden. Zusätzlich zu den dem Thyristor (6, 7, 11, 13', 9) zugehörigen Diffusionsgebieten sind zwei p-Basis-Gebiete (5, 5') in dasselbe Epitaxiegebiet (13') eingebracht und mit dem Thyristoreingang (1) kurzgeschlossen. <IMAGE>
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