发明名称 PHOTODIODE A AVALANCHE HGCDTE SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS DE LONGUEUR D'ONDE SUPERIEURE A 2 MM
摘要 <P>DANS UN CRISTAL 1 DE HGCDTE, ON CHOISIT X POUR LA REPONSE SPECTRALE DESIREE, ON REALISE UNE JONCTION PN A FAIBLES CONCENTRATIONS AU VOISINAGE DE LA JONCTION, PAR PENETRATIONS D'IMPURETES A PARTIR D'UNE SURFACE 10 POLIE ET ATTAQUEE CHIMIQUEMENT, ET ON ECLAIRE LA ZONE P 6. LE COURANT D'OBSCURITE DE LA PHOTODIODE EST INFERIEUR A 0,1ACM A TEMPERATURE AMBIANTE. LE FACTEUR EXCEDENTAIRE DE BRUIT EST INFERIEUR A 0,4.</P><P>LA PHOTODIODE DE L'INVENTION EST UTILISEE POUR LA DETECTION DES SIGNAUX TRANSMIS SUR DES FIBRES OPTIQUES EN VERRE FLUORE, PAR EXEMPLE.</P>
申请公布号 FR2598558(A1) 申请公布日期 1987.11.13
申请号 FR19860006614 申请日期 1986.05.07
申请人 TELECOMMUNICATIONS SA 发明人 YVES CARPENTIER ET MICHEL ROYER;ROYER MICHEL
分类号 H01L31/10;H01L21/383;H01L21/425;H01L21/44;H01L21/443;H01L21/465;H01L31/0296;H01L31/103;H01L31/107;(IPC1-7):H01L31/10 主分类号 H01L31/10
代理机构 代理人
主权项
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