HIGH TEMPERATURE LEAKAGE COMPENSATION CIRCUIT FOR TRANSISTOR CIRCUIT,申请号JP19900171431-传众专利搜索

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发明名称	HIGH TEMPERATURE LEAKAGE COMPENSATION CIRCUIT FOR TRANSISTOR CIRCUIT
摘要
申请公布号	JPH0461416(A)	申请公布日期	1992.02.27
申请号	JP19900171431	申请日期	1990.06.29
申请人	TOSHIBA CORP	发明人	NAGATA MINORU
分类号	H01L23/58;H03K17/14	主分类号	H01L23/58
代理机构		代理人
主权项
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