| 摘要 |
L'invention propose un procédé d'isolation de dispositifs semi-conducteurs comprenant les étapes consistant à former une structure multicouche comprenant au moins un silicium polycristallin puis un nitrure et un oxyde, définir des zones actives et des zones isolantes, former un arrêt de canal (11), enlever la structure multicouche sur le nitrure, former un oxyde de recouvrement, enlever de la structure multicouche le nitrure et un silicium polycristallin pour former une couche isolante, former des séparations (17) sur des parois latérales de la zone isolante (15) puis un oxyde de grille (19), une électrode d'oxyde de grille (21), et une deuxième zone de diffusion conductrice (23). En utilisant des dépôts chimiques en phase vapeur (CVD) et la photolithographie, on évite le "bec d'oiseau" et la dislocation provoquée par la contrainte, et l'arrêt de canal (11) est formé par implantation ionique d'impuretés sans diffusion en raison des séparations. En évitant l'effet de canal étroit, ceci permet une isolation dans la plage submicrométrique et une tension de rupture accrue.
|
