| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif de mémoire à haute intégration, comprenant une multiplicité de cellules de mémoires (M1-M3), constitué en disposant en alternance une cellule à condensateur du type en empilement et une cellule à condensateur du type tranchée-empilement à la fois dans des directions de lignes et de colonnes. <BR/> Selon l'invention, chaque électrode de stockage (11) du condensateur d'une cellule est prolongée pour chevaucher l'électrode de stockage (11) du condensateur de la cellule voisine. Le condensateur du type tranchée-empilement est formé dans le substrat de manière à augmenter la capacité de stockage, ce qui permet d'augmenter également celle du condensateur du type en empilement en prolongeant son électrode de stockage. La disposition alternée du condensateur du type tranchée-empilement et du condensateur du type empilement, permet de résoudre les problèmes de recouvrement, réduire les fuites de courant entre cellules, et minimiser les erreurs dues aux particules alpha.</P>
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