| 发明名称 | 四氯化硅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是通过将硅金属或分子中至少具有一个HSi键的氯硅烷与氯化氢反应,建立一种高选择性地制造四氯化硅的方法。本发明提供一种制造四氯化硅的方法,它包括在至少一种周期表Ⅷ族金属元素或其化合物与一种选自周期表V<SUB>B</SUB>族第三周期及其随后周期的元素单质的混合物存在下,使硅金属或分子中至少具有一个HSi键的氯硅烷与氯化氢反应。 | ||
| 申请公布号 | CN1176935A | 申请公布日期 | 1998.03.25 |
| 申请号 | CN97118046.6 | 申请日期 | 1997.09.03 |
| 申请人 | 株式会社德山 | 发明人 | 坂田勘治;弘田贤次;见神一郎 |
| 分类号 | C01B33/08 | 主分类号 | C01B33/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温宏艳;田舍人 |
| 主权项 | 1.制造四氯化硅的方法，包括在以下组分的同时存在下，使硅金属或分子中至少具有一个HSi键的氯硅烷与氯化氢反应，(A)至少一种周期表VIII族金属元素或其化合物和(B)一种选自周期表VB族第三周期及其随后周期的元素单质。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||