| 主权项 |
1.一种光阀装置,其特征主要为:在由驱动电极和依 所定 的信号把该驱动电极激励用以驱动电路被形成的 驱动基片 ,和在该驱动基片被对向配置之对向基片,和被配 置在该 驱动基片与该对向基片之间的电光学物质层所成 的光阀装 置中,该驱动基片系具有由载体层与半导体单结晶 膜层所 成之双层构造,该驱动电路系由被形成在半导体单 结晶薄 膜层的积成电路所成,该驱动电极系被集成配置在 半导体 单结晶薄膜层上,且由该驱动电路被激励时将会对 电光学 物质层作用而控制其光透过性者。2.如申请专利 范围第1项所述之光阀装置,其中,该集成 电极系含有被配置成矩阵状的复数之驱动元件,该 驱动电 极系由被配置成矩阵状的复数之画素电极而成,且 由各个 驱动元件被选择性地激励者。3.如申请专利范围 第2项所述之光阀装置,其中,该集成 电路系含有为了将该矩阵状驱动元件扫描用的扫 描电路者 。4.如申请专利范围第3项所述之光阀装置,其中, 该集成 电路系含有处理从外部被输入的画像信号,为了转 送到该 扫描电路用以画像信号处理电路者。5.如申请专 利范围第1项所述之光阀装置,其中,该驱动 基片系被形成有为了对于对向基片保持所定空隙 用的衬套 ,在该空隙被充填由液晶所成之电光学物质层者。 6.如申请专利范围第2项所述之光阀装置,其中,在 该对 向基片被配置有对应于该矩阵状画素电极而被形 成的结分 化彩混色镜者。7.一种光阀装置,其特征为,具有载 体层及在其上被形成 的半导体单结晶薄膜层所成之双层构造的基片,和 被形成 在该半导体单结晶薄膜层上的集成画素电极,和在 该半导 体单结晶薄膜层集成性地被形成而为激励该集成 画素电极 用的集成驱动电路所成者。8.如申请专利范围第7 项所述之光阀装置,其中,该载体 层系由石英所成而该半导体单结晶薄膜层系由矽 所成者。9.如申请专利范围第8项所述之光阀装置, 其中,该矽半 导体单结晶薄膜层系关于结晶方位具有<100>0.011.0 的范围之均匀性,其单结晶晶格缺陷密度系为500个 /cm2 以下者。10.如申请专利范围第8项所述之光阀装置 ,其中,在该矽 半导体单结晶薄膜层和该石英载体层之间介在有 比较低电 阻的薄膜层介在者。11.如申请专利范围第8项所述 之光阀装置,其中,该集成 画素电极系由透明电极所成,在该透明电极下部存 在的矽 半导体单结晶薄膜层之部份为被氧化的透明层者 。12.如申请专利范围第7项所述之光阀装置,其中, 该集成 驱动电路系会有被形成在该半导体单结晶薄膜层 表面的绝 缘栅型电晶体,其通道形成领域下系在该半导体单 结晶薄 膜层被接地者。13.如申请专利范围第7项所述之光 阀装置,其中,该集成 驱动电路,系包含被配置在该集成透明画素电极的 近旁之 驱动元件和从该集成透明画素电极离开被配置将 该驱动元 件扫描的扫描电路,把被形成该驱动元件之半导体 单结晶 薄膜层领域的层厚设定成比被形成该扫描电路之 半导体单 结晶薄膜层领域的层厚为小者。14.一种光阀装置 的制造方法,其特征为,在载体层上形 成半导体单结晶薄膜层之第1工程,和在该半导体 单结晶 薄膜层集成性地形成驱动电路的第2工程,和在该 半导体 单结晶薄膜上集成性地形成画素电极之第3工程, 和将该 驱动电路与该画素电路予以连接的第4工程所成者 。15.如申请专利范围第14项所述之光阀装置的制 造方法, 其中,该第1工程,系由在石英片所成的载体层之平 坦表 面将矽所成的半导体单结晶片之平坦表面予以热 压接的工 程,和把被压接之矽单结晶片研磨而薄膜化的工程 所成者 。16.如申请专利范围第14项所述之光阀装置的制 造方法, 其中,该第2工程,系包含将该半 导体单结晶薄膜层 选 择性地氧化而形成信息组氧化膜领域及由该信息 组氧化膜 领域被包围的元件领域之工程,和对该元件领域形 成驱动 电路元件的工程者。17.如申请专利范围第16项所 述之光阀装置的制造方法, 其中,该驱动电路元件形成工程,系由微细照相制 版蚀刻 及离子注入而形成绝缘栅型电晶体之工程者。18. 如申请专利范围第16项所述之光阀装置的制造方 法, 其中,该第3工程,系包含在该信息组氧化膜领域上 将画 素电极予以图案形成之工程者。19.一种光阀装置 的制造方法,其特征为,准备具有载体 层与在其上被形成之半导体单结晶薄膜层所成的 双层构造 之驱动用基片的准备工程,和在该半导体单结晶薄 层上集 成性地形成画素电极及被连接在画素电极的驱动 电路之半 导体处理工程,和在该驱动用基片隔着所定空隙配 置对向 基片而在该空隙配置电光学物质层之装置工程所 成者。20.如申请专利范围第19项所述之光阀装置 的制造方法, 其中,该准备工程,系由在石英片所成的载体层之 平坦表 面将矽所成的半导体单结晶片之平坦表面予以热 压接的工 程,和把被压接之矽单结晶片予以研磨而薄膜化的 工程所 |
