| 主权项 |
1.一种参考电压产生器电路,使用极低电源供应电 压以产生低参考输出电压,此低参考输出电压系对 温度和电源供应电压变化作了补偿,该参考电压产 生器电路包括: 第一和第二并联电流分支,连接于第一电源供应电 位和第二电源供应电位之间,该第一分支包括串联 之第一P-通道MOSFET电晶体、第二P-通道MOSFET电晶体 、第一N-通道MOSFET电晶体和第一电阻器;该第二分 支包括串联之第三P-通道MOSFET电晶体、第四P-通道 MOSFET电晶体、和第二N-通道MOSFET电晶体;该第一电 阻器以正温度系数在其两端之间产生第一电压; 第三并联电流分支,亦连接于第一电源供应电位和 第二电源供应电位之间,该第三分支包括串联之第 五P-通道MOSFET电晶体、第六P-通道MOSFET电晶体、第 二电阻器和第三N-通道MOSFET电晶体,该第三N-通道 MOSFET电晶体具有第二电压和具负温度系数; 第四分支,由串联之第七P-通道MOSFET电晶体和第八P -通道MOSFET电晶体所形成,该第四分支并联跨接于 该第五和第六P-通道MOSFET电晶体之导电路径; 闸极偏压电路机构,用来产生第一闸极偏压连接至 该第一、第三、第五和第七P-通道电晶体,和产生 第二闸极偏压连接至该第二、第四、第六和第八P -通道电晶体,以便当于电源供应电压发生变化时, 使流经该第一和第二P-通道电晶体之电流维持定 値;和 该第二电阻器和该第三N-通道电晶体建立低参考 输出电压,此低参考输出电压经温度和电源供应补 偿。2.如申请专利范围第1项之参考电压产生器电 路,其中该第一电源供应电位为将近1.0伏特,而该 第二电源供应电位为将近0伏特。3.如申请专利范 围第1项之参考电压产生器电路,其中该第三N-通道 电晶体之第二电压由其临限电压所界定。4.如申 请专利范围第1项之参考电压产生器电路,其中该 第一P-通道电晶体之源极连接至第一电源供应电 位,而其汲极连接至该第二P-通道电晶体之源极,该 第一N-通道电晶体之汲极连接至该第二P-通道电晶 体之汲极,而其源极连接至该第一电阻之一端,该 第一电阻之另一端连接至第二电源供应电位。5. 如申请专利范围第4项之参考电压产生器电路,其 中该第三P-通道电晶体之源极连接至第一电源供 应电位,而其汲极连接至该第四P-通道电晶体之源 极,该第二N-通道电晶体之汲极连接至该第四P-通 道电晶体、至其闸极和至该第一N-通道电晶体之 闸极,该第二N-通道电晶体之源极连接至第二电源 供应电位。6.如申请专利范围第5项之参考电压产 生器电路,其中该第五P-通道电晶体之源极连接至 第一电源供应电位,而其汲极连接至该第六P-通道 电晶体之源极,该第二电阻之一端连接至该第六P- 通道电晶体之汲极,而其另一端连接至该第三N-通 道电晶体之汲极及间极,而至输出端用来产生参考 输出电压,该第三N-通道电晶体之源极连接至第二 电源供应电位。7.如申请专利范围第6项之参考电 压产生器电路,其中该第七P-通道电晶体之源极连 接至第一电源供应电位,而其汲极连接至该第八电 晶体之源极,该第八电晶体之汲极连接至该第六电 晶体之汲极、第二电阻之一端、和输出端。8.如 申请专利范围第7项之参考电压产生器电路,其中 该闸极偏压电路部包括串联连接于第一电源供应 电位和第二电源供应电位之间之第四N-通道电晶 体和第五N-通道电晶体。9.如申请专利范围第8项 之参考电压产生器电路,其中该第四N-通道电晶体 之汲极连接至第一电源供应电位,其源极连接至该 第五N-通道电晶体之汲极,该第五N-通道电晶体之 源极连接至第二电源供应电位。10.如申请专利范 围第9项之参考电压产生器电路,其中该第四N-通道 电晶体之该闸极定义连接至该第一、第三、第五 和第七电晶体之闸极之第一闸极偏压,和其中该第 五电晶体之该汲极定义连接至该第二、第四、第 六和第八P-通道电晶体之闸极之第二闸极偏压。11 .一种参考电压产生器电路,使用极低电源供应电 压来产生低参考输出电压,此低参考输出电压系对 温度和电源供应电压变化作了补偿,该参考电压产 生器电路包括: 第一电流电路机构,包括第一电阻器用来产生形成 跨于该第一电阻器上之第一电压,该第一电阻器具 有正温度系数,并与电源供应电压之变化无关;和 第二电流电路机构,包括第二电阻器和具有负温度 系数用来产生低参考输出电压之N-通道MOSFET电晶 体,该第二电阻器具有正温度系数,在其上跨生有 比例于该第一电压之第二电压。12.如申请专利范 围第11项之参考电压产生器电路,其中该第一电流 电路机构包括闸极偏压电路机构,用来维持流经该 第一电阻器之电流对于电源供应变化仍保持一定 。13.如申请专利范围第12项之参考电压产生器电 路,其中该N-通道MOSFET电晶体具有负温度系数之临 限电压。14.如申请专利范围第13项之参考电压产 生器电路,其中该N-通道电晶体之汲极和闸极相互 连接,并连接至该第二电阻器之一端,和其源极连 接至接地电位,该第二电阻器之另一端连接于产生 低参考输出电压之输出端。15.如申请专利范围第 12项之参考电压产生器电路,其中该闸极偏压电路 机构包括串联连接于第一电源供应电位和第二电 源供应电位之间之第二N-通道MOSFET电晶体和第三N- 通道MOSFET电晶体。图式简单说明: 第一图系由下列之详细说明,配合所附图式,本发 明之目的和优点将变得更为明了,于此提供了一个 本发明使用极低电源供应电压之改良之参考电压 产生器电路之电路。 |
