| 摘要 |
<p>Dieser hat eine an ihrem Rand gehalterte Membran (12; 32), auf der eine aus zwei bzw. vier in Dickschichttechnik aufgebrachten ohmschen Widerständen (15, 16; 35, 36, 37, 38) bestehende, mittels ebenfalls in Dickschichttechnik aufgebrachter Leiterbahnen (17, 18, 19; 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48) kontaktierte Halb- bzw. Vollbrückenschaltung derart angeordnet ist, daß die Widerstände in ihrer Aufdruckrichtung mit minimalem Abstand hintereinanderliegen, daß die Aufdruckrichtung (40) mit der Längsachse (L) der hintereinanderliegenden Widerstände zusammenfällt und daß der jeweils randnahe Widerstand (15; 35, 38) außerhalb des Bereichs der Membran mit maximaler Dehnung/Stauchung liegt. Dadurch ergibt sich eine verbesserte Temperaturunempfindlichkeit des Sensorsignals, eine verbesserte Sensorgüte, ein minimaler Absolutwert des Nullpunkts (Offset) und eine verbesserte Langzeitstabilität. <IMAGE></p> |
