一种硅膜电容压力传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用扩散或离子注入、外延、阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积等技术制备的。其制备工艺与平面工艺兼容，易于集成与大批量生产，且成本低，器件性能好。

主权项

1、一种硅膜电容压力传感器，其特征在于该传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封的腔体，电容器上下电极分别作在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，紧靠硅膜周围的腔体开口由物理或化学气相淀积的绝缘介质填平，电容器的上下电极和硅膜分别由此绝缘介质所隔离和支撑。