金氧半导体电晶体及其制作方法

摘要

本发明提供一种金氧半导体电晶体的制作方法，首先，提供一半导体基底，其系由单晶矽构成，然后，在上述半导体基底表面形成一闸极氧化层，接着，在上述闸极氧化层表面沈积一耐火金属层(refractorymetal)。其次，在上述耐火金属层表面形成一掺杂离子之矽层，然后，选择性蚀刻上述掺杂离子之矽层，直到露出上述耐火金属层为止，然后，选择性蚀刻上述耐火金属层，以形成一闸极电极。