| 主权项 |
1.一种微影投射装置,包含: -一辐射线系统,包含一辐射线源及一照明系统,其 系用于提供一辐射线投射光束; -一支撑结构,其系用于支撑图案构件,该图案构件 的作用是根据想要的图案将投射光束图案化; -一基板平台,其系用于夹住一基板;及 -一投射系统,其系用于将图案光束投射至基板之 目标部上, 该微影投射装置尚包含一电极(9;150)及一电压源( 140),其系用于实施一电场于辐射线源(LA)与电极(9; 150)之间以在辐射线源(LA)与电极(9;150)之间产生一 放电。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中电极(9;150)被 设置于投射光束中。 3.如申请专利范围第1或2项之装置,尚包含一污染 物障蔽层(9),相对于该投射光束行进方向,在该辐 射线源之下游。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中该污染物障蔽 层(9)是该电极。 5.如申请专利范围第1或2项之装置,其中电极(150)是 一阴极,较佳地是一中空阴极。 6.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该电压源( 140)的作用是产生一DC电场。 7.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该电压源( 140)的作用是产生一方波调变电场,其与辐射线源( LA)同步。 8.如申请专利范围第1或2项之装置,其中一磁场产 生器(137)被提供,在该辐射线源(LA)与该电极(9;150) 之间产生一轴向磁场。 9.如申请专利范围第1或2项之装置,其中一气体被 提供于该投射光束所通过之区域中,且其中气体较 佳地包含一EUV透明气体,更佳地是氦、氩、氮气或 氢气其中之一或多种。 10.如申请专利范围第9项之装置,尚包含一气体供 应单元(115),其系用于在投射光束所通过之区域中 提供该气体。 11.如申请专利范围第10项之装置,尚包含一排气口( 114),其系位于气体供应单元(113)相对于投射光束行 进方向之上游,其系用于将该气体自该投射光束所 通过知该区域移除,且用于产生一气流,实质被导 引至与污染物粒子行进方向相反之方向。 12.如申请专利范围第1或2项之装置包含一雷射生 成,或放电电浆辐射线源。 13.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该投射光 束包含紫外光或远紫外光射线,例如具有大约157或 126奈米,或在从8至20奈米范围内之波长,特别是9至 16奈米之波长。 14.一种辐射线系统之组合,包含一辐射线源(LA),及 一电极(150),其系用于在辐射线源与电极之间实施 一电场,且在辐射线源与电极之间产生一额外放电 ,以捕捉来自该辐射线源(LA)之污染物粒子。 15.如申请专利范围第14项之组合,尚包含一污染物 障蔽层(9)。 16.一种使用一微影装置之元件制造方法,包含: -提供一辐射线系统,包含一辐射线源,及一照明系 统,用于供应一辐射线投射光束; -提供一支撑结构,其系用于支撑一图案构件,该图 案构件的作用是根据想要的图案图案化投射光束; -提供一基板平台,其系用于夹住一基板;且 -提供一投射系统,其系用于将图案化光束投射至 基板之目标部上,其提供一电极(9;150),位于辐射线 源(LA)相对于投射光束行进方向之下游,且在辐射 线源(LA)与电极(9;150)之间实施一电场以在辐射线 源(LA)与电极(9;150)之间产生一放电。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中电场是一直 流(DC)电场。 18.如申请专利范围第16或17项之方法,其中电场是 一方波调变且与辐射线系统同步。 19.如申请专利范围第16或17项之方法,其中电极是 一污染物障蔽层(9)。 20.如申请专利范围第16或17项之方法,其中在辐射 线源(LA)与电极(9;150)之间的电场具有一上至1000伏 特(V)之电位差。 21.如申请专利范围第16或17项之方法,其中一气体 被提供于辐射线源(LA)与电极(9;150)之间的区域。 22.一种离子化辐射线系统之碎屑抑制之方法,包含 一辐射线源,其提供一电极(9;150)且在辐射线源(LA) 与电极(9;150)之间实施一电场,在辐射线源(LA)与电 极(9;150)之间产生一放电。 23.一种如申请专利范围第1或2项之装置所制造之 元件。 24.一种如申请专利范围第16或17项之方法所制造之 元件。 图式简单说明: 图1概要描述一种微影投射装置; 图2显示根据图1微影投射装置之EUV照明系统及投 射光之侧视图; 图3显示根据一实施例如电极之污染物障蔽层; 图4显示根据另一个实施例之中空阴极构造及污染 物障蔽层; 图5显示根据再另一个实施例之中空阴极构造。 |
