二配位基配位体,含该配位体之触媒系统及利用该触媒系统羰基化烯属或炔属不饱和化合物之方法

摘要

本发明亦关于一种式II之二配位基配位体，R1R2M1-R-M2R3R4 (II)其中M1及M2独立的为P、As或Sb：R1、R2、R3及R4独立的代表第三烷基，或R1及R2一起及/或R3及R4一起代表视情况取代之二价环脂基，因此二游离价系与M1或M2相连，且R代表桥中含2至6个原子之二价脂系桥连基，其系以二或多个取代基取代。一种触媒系统，包括：(a) 第VIII族金属阳离子源，(b)二配位基配位体源，及(c) 阴离子源。本发明尚关于该触媒系统在藉由与一氧化碳及辅反应物反应，使视情况之取代烯属或炔属不饱和化合物羰基化制程中之应用。

主权项

1.一种式II之二配位基配位体 R1R2M1-R-M2R3R4 (II) 其中M1及M2独立的为P、As或Sb;R1、R2、R3及R4独立的 代表第三烷基,或R1及R2一起及/或R3及R4一起代表视 情况取代之二价环脂基,因此二游离价系与M1或M2 相连,且R代表桥中含2至4个原子之二价脂系桥连基 ,其系以二或多个取代基取代。 2.如申请专利范围第1项之二配位基配位体,其中M1 及M2二者均为磷原子。 3.如申请专利范围第1或2项之二配位基配位体,其 中之取代基系在与原子M1及M2相连之桥连基之碳原 子处取代。 4.如申请专利范围第1或2项之二配位基配位体,其 中该取代基为烷基。 5.如申请专利范围第1或2项之二配位基配位体,其 中R1及R2及/或R3及R4一起代表具有6至且包含9环原 子之二价取代或未经取代之伸环烷基,因此该二游 离价基系与M1或M2相连。 6.一种触媒系统,包含: (a)第VIII族金属阳离子源; (b)如申请专利范围第1或2项之二配位基配位体;及 (c)阴离子源。 7.一种视情况经取代之烯属或炔属不饱和化合物 之羰基化方法,其系在如申请专利范围第6项之触 媒系统之存在下,使其与一氧化碳及辅反应物反应 而进行。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中系使用氢当作 辅反应物。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中系使用具有移 动氢原子之亲核性化合物当作辅反应物。