发明名称 消除半导体压降和漏电流装置
摘要 本实用新型消除半导体压降和漏电流装置由接触器和半导体组合;与半导体开关电路连接,使半导体开关输出端接通电路后消除压降,关断电路后输出端消除漏电流,并且绝缘电阻值及试验电压值与同等容量的纯粹机械式接触器——继电器一样;尤其200A以上大电流,电寿命和操作频率比电磁接触器开关提高50倍以上,机械噪声小,功耗低;节约有色金属,提高生产效率。
申请公布号 CN2092833U 申请公布日期 1992.01.08
申请号 CN91200849.0 申请日期 1991.01.14
申请人 于兴根 发明人 于兴根
分类号 H03K17/00;H03K17/06 主分类号 H03K17/00
代理机构 代理人
主权项 1、消除半导体压降和漏电流装置,其特征在于:按钮常分开关10动合触点11、12使直流电磁线圈6工作,接触器2的动触点3导通静触点4、5,使电磁线圈23有工作电压,先由动触点17导通静触点18、19的控制极G触发电流,使开关元件31T1T2导通,负载24有工作电压,二极管8提供直流电磁线圈6的工作电流后由动触点20导通并联在静触点21、22开关元件31的T1T2极消除开关元件31输出端压降。按钮常合开关13动断触点14、15,使电磁线圈23无电流通过,先由动触点20关断静触点21、22,后由动触点17关断静触点18、19的触发电流,阻断开关元件31T1T2电流,负载24无工作电压,直流电磁线圈6无工作电压,动触点3关断静触点4、5,消除半导体开关电器27输出端漏电流。
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