一种开管铝镓扩散工艺

摘要

一种开管铝镓扩散工艺。本发明是属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种扩散工艺。该工艺是由在硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散同步进行为特征的。整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气(或惰性气体)保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成一次P型扩散的。该工艺简单灵活，操作容易，稳定可靠，扩散杂质分布理想，扩散参数可控可调性好。用该工艺生产的器件电参数一致性和动态特性好，其合格率可提高15-25％，优品率可提高20％左右，经济效益显著。

主权项

1、一种开管铝镓扩散工艺，将研磨、清洗干净的N型硅片进行杂质源扩散，本发明的特征是将硅片先涂布铝乳胶源扩散，后开管镓扩散，再同时进行铝、镓的再分布，整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气(或惰性气体)保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成的一次P型扩散(铝镓预扩与再分布分两次进行也可)，杂质源为铝乳胶源、氧化镓，反应气体为氢气。