| 发明名称 |
METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC DEVICE |
| 摘要 |
Ce procédé est caractérisé en ce que les éléments thermoélectriques d'un dispositif thermoélectrique sont réalisés par formage de couches d'étamage (3) sur les surfaces de semi-conducteurs de types P et N (10a, 10b) présentant chacun l'effet Peltier, et ensuite par découpage des semi-conducteurs en morceaux de formes désirées. |
| 申请公布号 |
WO9118422(A1) |
申请公布日期 |
1991.11.28 |
| 申请号 |
WO1991JP00633 |
申请日期 |
1991.05.14 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO;KOMATSU ELECTRONICS INC. |
发明人 |
YAMASHITA, MASAO,;IMAIZUMI, HISAAKIRA,;MORI, YUKOH |
| 分类号 |
H01L35/10;H01L35/04;H01L35/08;H01L35/32;H01L35/34 |
主分类号 |
H01L35/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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