| 发明名称 |
SUBSTRATE OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OF GROUP III-V COMPOUND HETEROSTRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03266439(A) |
申请公布日期 |
1991.11.27 |
| 申请号 |
JP19900065124 |
申请日期 |
1990.03.15 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
ESHITA TAKASHI;INOUE RIICHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/338;H01L29/10;H01L29/267;H01L29/735;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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