| 发明名称 |
Power transistor device having deep increased concentration region |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2243952(A) |
申请公布日期 |
1991.11.13 |
| 申请号 |
GB19910010071 |
申请日期 |
1991.05.09 |
| 申请人 |
* INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
PERRY * MERRILL;HERBERT J * GOULD |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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