适用于开管镓扩散的石英管的制造工艺

摘要

一种适用于开管镓扩散的石英管制造工艺，利用Si3N4膜可屏蔽镓元素的原理，在CVD炉中通入硅烷和氨气。使之发生热分解反应，在普通石英扩散管壁上生成一层Si3N4薄膜。使用该类石英管扩镓生产的半导体器件在稳定扩散参数条件下，电参数的一致性和重复性好，该类石英管的寿命比普通石英管大大延长。

主权项

1.一种适用于开管镓扩散的石英管制造工艺，将石英管用常规清洗洗干净后。烘干，投入CVD炉中。其特征在于，CVD炉温调在400℃-1300℃之间，在此温度段内任取一定温度定好。恒温10分钟后，向石英管中通入硅烷和氨气在N2或H2的负载气氛中进行热分解生成一层厚度为0.1-0.5μm的Si3N4层。