| 发明名称 |
INPUT PROTECTIVE CIRCUIT FOR MOS SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR910009355(B1) |
申请公布日期 |
1991.11.12 |
| 申请号 |
KR19890000192 |
申请日期 |
1989.01.10 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP. |
发明人 |
ATSUMI SIGERU;KAWAHARA YASO;YOSHIDA DORU;DANAKA HYMIRARI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088;H02H9/04;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
