发明名称 |
Biasing circuits for field effect transistors using GaAs FETS |
摘要 |
Hysteresis effects in low frequency field effect transistor circuits are minimized by using biasing or clamping circuits including field effect transistors.
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申请公布号 |
US5065043(A) |
申请公布日期 |
1991.11.12 |
申请号 |
US19900491752 |
申请日期 |
1990.03.09 |
申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
BARTLING, JAMES E.;HEATON, DALE A. |
分类号 |
G05F3/24;H03F1/22;H03F3/45 |
主分类号 |
G05F3/24 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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