发明名称 Phase mask for photolithographic projection and process for its preparation.
摘要 Es ist ein Träger (11) aus lichtdurchlässigem Material mit einem darauf angeordneten Maskenmuster (12) aus lichtabsorbierendem Material vorgesehen. Der Träger (11) weist erste Bereiche (13) und zweite Bereiche (14) auf, die von dem absorbierenden Material unbedeckt sind. Die optische Dicke des Trägers (11) in den ersten Bereichen (13) unterscheidet sich von derjenigen in den zweiten Bereichen (14) derart, daß zwischen Licht, das die ersten Bereiche (13) durchquert hat, und Licht, das die zweiten Bereiche (14) durchquert hat, ein Phasenunterschied von 180° +/- 60° besteht. Zur Herstellung der Phasenmaske werden die ersten Bereiche (13) durch isotropes Ätzen des lichtabsorbierenden Materials und die zweiten Bereiche (14) durch anisotropes Ätzen in den Träger (11) erzeugt.
申请公布号 EP0451307(A1) 申请公布日期 1991.10.16
申请号 EP19900106777 申请日期 1990.04.09
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 NOELSCHER, CHRISTOPH, DR. RER. NAT., DIPL.-PHYS.;MADER, LEONHARD, DR. RER. NAT., DIPL.-PHYS.
分类号 G03F1/00;H01L21/027 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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