| 摘要 |
<p>Das beschriebene Herstellungsverfahren von Mehrlagen-Leiterplatten erlaubt es, die Leiterbahnenlagen (21 bis 25), die für Signalaustausch, Speisung und Erdung bei dichtester beidseitiger Bestückung mit zum Beispiel SMD (surface mounted devices) notwendig sind, so dicht und dünn zu gestalten, dass bei standardmässiger Leiterplattendicke Raum bleibt, um elektronische Funktionseinheiten wie beispielsweise Pufferkondensatoren, Pull-up-Widerstände oder Koppelkondensatoren in den Kern (1) der Leiterplatte zu integrieren und dadurch den freien Raum für die Bestückung noch zu vergrössern. Solche Leiterplatten zeichnen sich aus durch markante Multifunktionalität, reduziertes Gewicht, höchst mögliche Bestückungsdichte und weiten Temperatureinsatzbereich. <IMAGE></p> |
