摘要 |
Der Halbleiterschalter enthält eine Vorrichtung zur Messung der Sperrschichttemperatur eines laststromführenden Halbleiterventils (V). Diese Vorrichtung besteht aus einem das thermische Verhalten des Halbleiterventils (V) elektrisch nachbildenden Netzwerk (N) einem zwischen Halbleiterventil (V) und Netzwerk (N) vorgesehenen Wandelelement (W) zur Erzeugung eines der im Halbleiterventil (V) umgesetzten Verlustleistung proportionalen Stroms (iv) und einen vom Ausgang des Netzwerks (N) gesteuerten und auf das Halbleiterventil (V) wirkenden Grenzwertvergleicher (A). Dieser Halbleiterschalter soll bei einfachem Aufbau gegen Kurzschluss und Ueberlast gesichert sein und zugleich auch kapazitiv wirkende Lasten problemlos beherrschen können. Dies wird dadurch erreicht, dass zum einen das Wandelelement (W) als ohmscher Widerstand (RW) ausgebildet ist und zusammen mit einem ersten Schaltelement (S0) und einer Kapazität (C1) des Netzwerkes (N) parallel zum Halbleiterventil (V) geschaltet ist. Zum anderen sind zwei Spannungsquellen (Uoff, Uon) vorgesehen, welche über weitere Schaltstellen (S1, S2) durch den auf das Halbleiterventil (V) wirkende Grenzwertvergleicher (A) angesteuert werden.
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