| 发明名称 |
ION IMPLANTING APPARATUS AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE BY USING THE SAME APPARATUS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0405855(A3) |
申请公布日期 |
1991.10.16 |
| 申请号 |
EP19900306848 |
申请日期 |
1990.06.22 |
| 申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
KAMATA, TADASHI;SUGIURA, JUN;HONDA, MITSUHARU |
| 分类号 |
H01J27/26;H01J37/02;H01J37/30;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/02 |
主分类号 |
H01J27/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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