| 发明名称 |
EPITAXIAL GROWTH METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03225928(A) |
申请公布日期 |
1991.10.04 |
| 申请号 |
JP19900021766 |
申请日期 |
1990.01.31 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
GOSHIMA SHIGEO;MOCHIZUKI KAZUHIRO;UMEMOTO YASUNARI;TAKATANI SHINICHIRO;TAGAMI TOMONORI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/203;H01L21/338;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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