| 主权项 |
1.一种纯化金属之方法,包含使熔融金属(3)通过一个中间流槽(1)中之一些障壁,其特征是使该金属强过一个垂直阵列(8)之挡墙(9a,9b)之间,该挡墙(9a,9b)位于使该金属到蓬中间流槽之区域(4)扣离开中间流槽之出口( 6)之间,该阵列(8)之挡墙(9a,9b)横向隔开的醋越在该中间流槽( 1 ),用来使熔融金属之流动被限制在该等挡墙之间之通道(12) ;且其中位于该等挡墙之阵列(8)下游之挡提(10)横内延伸成胯越在中间流槽(1)之底部,至少延伸在其宽度之一实质部份而且必需要能让流动之金属越过;而位于该等挡墙之阵列(8)上游之挡堤(7)横向延伸成跨越在中间流2槽(1),至少延伸在其宽度之一实质部份而且必需要能让金属从其下面流过,障壁(10)之上端部系高于耐火板(7)之下端部,基此,流穿挡墙之金属于离开中间流槽前被导向熔剂(11)表面层。2.加申请专利范围第1项之方法,其中该等挡墙为扁平板或瓷砖(9a,9b)。3.如申请专利范颅第1项之方法,其中该等挡墙是一些扁平板或瓷砖被整形成用来界定一个扭曲路径。4.如申请专利范围第2或3项之方法,其中该等扁平扳或瓷砖(9a,9b)被定位成互相平行。5.如申请专利范围第2或3项之方法,其中该等扁平板或瓷砖(9a,9b)相烟等距离。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该等挡墙之阵列(8)形成从中间流漕(1)之底部延伸到被含于其中之任何熔融金属之表面(3A)之挤出管式或胞式之单体之形式。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其有一个或多个额外之挡墙或挡堤位于该挡墙之阵列(8)之下游。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该中间流槽位句在纵向侧壁位3,2匀具有一个或多个之内部突部吟1,2,而挡墙伶5,2之阵列则被定位成邻近该突部。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该突部吟1,2从该中间流槽俘句之底部延伸,其延伸高度高于中间流槽被充填熔融金属之位准。10.如申请专利范围第8或9项之方法,其中有一对形成对立之突部1,2各具有纵向侧壁淬3,2,该挡墙5,之阵列被定位成位于它们之间。11.一种中间流槽,含有垂直之挡墙(9a,9b之阵列(8)位于熔融金属之到达区(4)和出口(6)之间,该阵列之挡墙横向隔开的胯越在该中间流槽,用来在该等挡墙之间产生一些流动通道江幻;一挡堤泣句紧邻该等挡墙阵列(8)之下游侧上,并横向延伸胯越中间流槽(1)底部至少一实质宽度,且金属必将流过该挡堤之上;一堰(7)紧邻诘挡墙阵列(8)之上游侧,并横向延伸跨越中间流槽(1)至少一实质宽度,且金属必流过该堰之下;挡堤江句之上端部则高于堰(7)之下端部。12.如申请专利范围第11项之中阁流槽,其中之挡墙(9)使用高氧化铝陶瓷材埘含有由耐火水泥结合之耐火粒子。13.如申请专利范围第11或12项之中间流槽,其中该等挡墙是一些扁平板或瓷砖(9a,9b)配置成互相平行。14.如申请专利范围第11或12项之中间流槽,其中该等挡墙是一些扁平板或瓷砖(9a),9b)被配置成相烟等距离。15.如申请专利范围第11或12项之中间流槽,其中该等挡墙(9)之阵列(8)形成从中间流槽(1)之底部延伸之挤出管式或胞式之单体之形式。16.如申请专利范围第11或12项之中间流槽,其中含有一个或多个额外之挡墙或挡堤位于挡墙之阵列(8)之下游。17.如申请专利范围第11项之中间流槽,其中在其纵向侧壁O3,2具有一个或多个之内部突部伶1,2,而挡墙淬5,2句之阵列则被定位成邻近该突部。18.如申请专利范围第17项之中间流槽,其中该突部(11,21)从该中间流槽位句之底部延伸,其延伸高度高于中间流槽被充填熔融金属之位准。19.如申请专利范围第17或18项之中间流槽,其中有一对形成对立之突部(11,22)各具有纵向侧壁(18,22),该挡墙(15,22)之阵列被定位成位于它们之间。20.如申请专利范围第17或18项之中间流槽,其中每一个突部(O1,22)与中间流槽之永久或消耗性之衬垫形成一体21.如申请专利范围第17或18项之中间流槽,其中每一个突部形成一个箱盒之形式由一组扁平板或瓷砖来制成。 |
