| 发明名称 |
CURRENT DETECTION CIRCUIT OF MOS TYPE TRANSISTOR FOR POWER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03186770(A) |
申请公布日期 |
1991.08.14 |
| 申请号 |
JP19900330991 |
申请日期 |
1990.11.30 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
SERUJIO PARARA;DONAATO TAGURIABIA |
| 分类号 |
G01R31/02;G01R19/165;G01R31/26;G05F3/22 |
主分类号 |
G01R31/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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