| 发明名称 |
SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03177016(A) |
申请公布日期 |
1991.08.01 |
| 申请号 |
JP19890314518 |
申请日期 |
1989.12.05 |
| 申请人 |
SANKEN ELECTRIC CO LTD;NANNICHI YASUO |
发明人 |
NANNICHI YASUO |
| 分类号 |
H01L21/205;C30B25/04;C30B29/42;H01L21/20;H01L21/203 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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