| 摘要 |
L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteur, qui consiste à former un résisteur (45) d'un semi-conducteur sur une couche isolante (42), à former un film de nitrure de silicium (46) sur toute la surface de la couche isolante contenant le résisteur (45), à former un film d'oxyde de silicium (47) sur le film de nitrure de silicium, puis à former des électrodes (49A, 49B) pour le résisteur (45) sur le film d'oxyde de silicium. Ce procédé permet d'éviter à la fois toute fragilité d'un film isolant (51) sur une partie en gradin du résisteur (45) et toute déconnexion des électrodes et des fils, et il permet d'améliorer à la fois la tension de maintien entre le résisteur (45) et les fils passant sur le résisteur (45) et la rentabilité d'un dispositif à semi-conducteur ainsi obtenu. En outre, on abaisse la résistance du résisteur (67) dans une région à dose d'impureté élevée, en implantant des ions d'une certaine impureté (64) dans un film à semi-conducteur (63) destiné à être utilisé comme résisteur, pour qu'il soit transformé en semi-conducteur amorphe, en soumettant un film à semi-conducteur (63a) à un traitement thermique dans une atmosphère de gaz hydrure et/ou de gaz hydrogène, puis en le soumettant à un traitement thermique d'activation en vue de former un résisteur (67). |
