| 发明名称 | 氧化物超导体单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用助熔剂制备复合氧化物超导体单晶的方法，所用原材料为La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(M为Sr、Ba或Ca)的复合氧化物多晶或化学计量成分比与所述复合氧化物的组成成分相似的混合物作原材料，所用助熔剂为CuO。 | ||
| 申请公布号 | CN1013158B | 申请公布日期 | 1991.07.10 |
| 申请号 | CN89103432.3 | 申请日期 | 1988.01.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 长谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 |
| 分类号 | H01B12/00;C30B9/00;H01L39/24 | 主分类号 | H01B12/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种制备氧化物超导体单晶的工艺方法，包括下列步骤：制备由La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(其中M为Sr、Ba或Ca)的多晶中选出的至少一种成分组成的原材料，该成分是K2NiF4晶体结构或类钙钛矿晶体结构的复合氧化物，在该结构中，铜离子位于氧八面体的中心，该成分还可以是化学计量成分比与所述复合氧化物组成成分相似的混合物，制备由熔点低于所述复合氧化物的CuO组成的助熔剂，在750～1300℃的温度下把所述原材料熔化或部分熔化在所述助熔剂中，同时把熔化温度和部分熔化温度保持在低于所述复合氧化物熔点的温度上。通过逐渐冷却由熔化或部分熔化所述原材料制得的所述饱和助熔剂熔体或部分熔体，从中生长所述复合氧化物的单晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||