硅器件芯片背面银系溅射金属化

摘要

本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求。溅射银系工艺成本低，便于推广。

主权项

1、一种硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于工艺过程包括： (1)将以下金属依次分层溅射到硅器件背面； ①钛、镍、银， ②铬、银铜合金，或者 ③铬、镍、银； (2)将溅射后的硅器件进行用以消除溅射所造成的表面损伤，增加各金属层之间的渗透及表面层的锡浸润性能的快速热退火处理，热退火温度为400℃-500℃，退火时间为10秒-20秒。