Input protection structure for integrated circuits.

摘要

Eine Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen mit einer Oxidisolation benachbarter Bauelemente ermöglicht durch einen Thyristor, einen integrierten Widerstand (5) und eine spezielle Anordnung und Struktur der den Thyristor bildenden Zonen in einem Halbleitersubstrat (10) eine hohe Belastbarkeit gegen elektrostatische Entladungen.