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<P>Procédé comportant le dépôt d'une première et d'une seconde couche polycristalline conductrice, lesquelles sont séparées par une couche isolante, en vue de créer des îlots de grille s'étendant en direction des portions fortement dopées (22b, 23b) des régions de source et de drain. <BR/> Selon l'invention, les îlots de grille (15) sont d'abord délimités dans la première couche polycristalline (12), puis les bords de ces îlots sont protégés par des espaceurs provisoires (20a) en un matériau anti-oxydation, permettant après implantation ionique des portions faiblement dopées (22, 23), de source et de drain, une réoxydation des parties du dispositif non protégées. Après quoi les espaceurs provisoires (20a) sont éliminés et la seconde couche polycristalline (30) est alors déposée, réalisant un contact électrique avec les bords précédemment protégés des îlots (15) de première couche polycristalline (12). Des îlots de grille élargis (35) sont enfin formés en utilisant la technique des espaceurs isolants (32). <BR/> Application à la fabrication de dispositifs MIS submicroniques, à haute densité d'intégration.</P>
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