| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einem geschützten pn-Übergang |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH427044(A) |
申请公布日期 |
1966.12.31 |
| 申请号 |
CH19640015352 |
申请日期 |
1964.11.27 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
PAUL LEPSELTER,MARTIN |
| 分类号 |
A01N43/80;C07D275/04;D06L1/04;H01J37/34;H01L21/00;H01L21/762;H01L21/764;H01L23/485;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/06;H01L29/00;(IPC1-7):H01L7/00 |
主分类号 |
A01N43/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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