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发明名称
Ion implantation apparatus and method of controlling the same
摘要
申请公布号
US5003183(A)
申请公布日期
1991.03.26
申请号
US19900520728
申请日期
1990.05.09
申请人
NISSIN ELECTRIC COMPANY, LIMITED
发明人
NOGAMI, MAMORU;NAGAI, NOBUO
分类号
H01J37/317;H01L21/677;H01L21/68
主分类号
H01J37/317
代理机构
代理人
主权项
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