| 发明名称 |
Circuit for performing parallel multi-byte write test of a semiconductor memory device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2235555(A) |
申请公布日期 |
1991.03.06 |
| 申请号 |
GB19900013159 |
申请日期 |
1990.06.13 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
YOON-HO * CHOI |
| 分类号 |
G11C11/413;G11C11/401;G11C11/409;G11C29/00;G11C29/28;G11C29/34 |
主分类号 |
G11C11/413 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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