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经营范围
发明名称
Method for forming FET with a super lattice channel
摘要
申请公布号
US4988634(A)
申请公布日期
1991.01.29
申请号
US19900512026
申请日期
1990.04.16
申请人
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人
YAMAZAKI, SHUNPEI
分类号
H01L29/10;H01L29/15
主分类号
H01L29/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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