| 摘要 |
<P>L'invention concerne la fabrication des transistors ayant des dimensions de grilles submicroniques.</P><P>Le procédé utilise un sillon 6 gravé dans une couche de résine 5 déposée sur le substrat semiconducteur 1+2. Ce sillon, de longueur L la plus faible possible selon la technologie utilisée, est recouvert d'une couche isotropique de silice 7, d'épaisseur e régulière. Par gravure ionique de la silice, on crée dans le fond du sillon 6 une ouverture réduite 12, qui peut atteindre 0,2 micron.</P><P>Application à la fabrication de dispositifs semiconducteurs submicroniques, avec des moyens de masquage optiques.</P>
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