| 发明名称 |
Process for fabricating low defect polysilicon |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4981811(A) |
申请公布日期 |
1991.01.01 |
| 申请号 |
US19900508210 |
申请日期 |
1990.04.12 |
| 申请人 |
AT&T BELL LABORATORIES |
发明人 |
FEYGENSON, ANATOLY;HUANG, CHANG-KUEI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/285;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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